Терахерц извори су одувек били једна од најважнијих технологија у области ТХз зрачења. Доказано је да су многи начини функционални за постизање ТХз зрачења. Типично, технологије електронике и фотонике.У области фотонике, генерисање нелинеарних оптичких разлика-фреквенција засновано на великом нелинеарном коефицијенту, високом прагу оптичког оштећења нелинеарних кристала је један од начина за добијање ТХз таласа велике снаге, подесивог, преносивог и радног ТХз таласа на собној температури.Највише се примењују нелинеарни кристали ГаСе и ЗнГеП2(ЗГП).
Кристали ГаСе са ниском апсорпцијом на милиметарском и ТХз таласу, високим прагом оштећења и високим секундарним нелажним коефицијентом (д22 = 54 пм/В), обично се користе за обраду терахерц таласа унутар 40 μм и такође дугог таласног опсега подесивог Тхз таласа (изнад 40 μм).Доказано је да је подесиви ТХз талас на 2,60 -39,07 μм када је угао подударања на 11,19°-23,86°[еоо (е - о = о)], и 2,60 -36,68μм када је угао подударања на 12,19°-27,01°[еое (е - о = е)].Штавише, 42,39-5663,67μм подесиви ТХз талас је добијен када је угао подударања на 1,13°-84,71°[оее (о - е = е)].
Кристали ЗнГеП2 (ЗГП) са високим нелинеарним коефицијентом, високом топлотном проводљивошћу, високим прагом оптичког оштећења такође су истражени као одличан ТХз извор.ЗнГеП2 такође има други нелинеарни коефицијент при д36 = 75 пм/В), што је 160 пута више од КДП кристала.Угао поклапања два типа фаза ЗГП кристала (1,03°-10,34°[оее (ое = е)]& 1,04°-10,39°[оео (ое= е)]) обрађује сличан ТХз излаз (43,01 -5663,67μм), оео тип се показао као бољи избор због већег ефикасног нелинеарног коефицијента.Веома дуго времена, излазна производња ЗнГеП2 кристала као Терахерц извора је била ограничена, јер ЗнГеП2 кристал од других добављача има високу апсорпцију у блиском инфрацрвеном региону (1-2μм): коефицијент апсорпције >0,7цм-1 @1μм и >0,06 цм-1@2μм.Међутим, ДИЕН ТЕЦХ обезбеђује ЗГП (модел: ИС-ЗГП) кристале са супер ниском апсорпцијом: коефицијент апсорпције<0,35цм-1@1μм и <0.02цм-1@2μм.Напредни ИС-ЗГП кристали омогућавају корисницима да постигну много бољи учинак.
Референца:'基于 ГаСе 和 Зн ГеП2 晶体差频产生可调谐太赫兹辐射的理论研究'2008 Цхин.Пхис.Соц.
