Производи – 5. део

Нд:ИВО4 кристали

Нд:ИВО4 је најефикаснији ласерски кристал за пумпање диода међу тренутним комерцијалним ласерским кристалима, посебно за ниске до средње густине снаге.Ово је углавном због његових карактеристика апсорпције и емисије које превазилазе Нд:ИАГ.Пумпан ласерским диодама, кристал Нд:ИВО4 је уграђен са кристалима високог НЛО коефицијента (ЛБО, ББО или КТП) за померање фреквенције излаза са блиског инфрацрвеног на зелено, плаво или чак УВ.
РТП К-прекидачи

РТП (Рубидијум титанил фосфат – РбТиОПО4) је материјал који се сада нашироко користи за електрооптичке апликације кад год су потребни ниски прекидачки напони.
Кристали ЛиНбО3

ЛиНбО3 кристалима јединствена електрооптичка, пиезоелектрична, фотоеластична и нелинеарна оптичка својства.Они су снажно дволомни.Користе се у ласерском удвостручењу фреквенције, нелинеарној оптици, Покелсовим ћелијама, оптичким параметарским осцилаторима, К-прекидачима за ласере, другим акусто-оптичким уређајима, оптичким прекидачима за гигахерцне фреквенције итд. Одличан је материјал за израду оптичких таласовода итд.
Ер:ИАП кристали

Итријум алуминијум оксид ИАлО3 (ИАП) је атрактиван ласерски домаћин за јоне ербијума због свог природног двоструког преламања у комбинацији са добрим термичким и механичким својствима сличним онима код ИАГ-а.
ЦТХ:ИАГ кристали

Хо,Цр,Тм:ИАГ -итријум алуминијумски гранат ласерски кристали допирани јонима хрома, тулијума и холмијума да обезбеде ласерско зрачење на 2,13 микрона налазе све више и више примена, посебно у медицинској индустрији. Инхерентна предност кристалног кристала је у томе што запошљава ИАГ као домаћина.Физичка, термичка и оптичка својства ИАГ-а су добро позната и разумљива сваком дизајнеру ласера.Има широку примену у хирургији, стоматологији, атмосферском тестирању итд.
ЛГС Цристалс

Ла3Га5СиО14 кристал (ЛГС кристал) је оптички нелинеарни материјал са високим прагом оштећења, високим електро-оптичким коефицијентом и одличним електро-оптичким перформансама.ЛГС кристал припада структури тригоналног система, мањи коефицијент термичке експанзије, анизотропија термичког ширења кристала је слаба, температура високотемпературне стабилности је добра (боља од СиО2), са два независна електро-оптичка коефицијента једнако добра као кодББОКристали.