ЗнТе Цристал

Полупроводнички терахерц ГаСе и ЗнТе кристали имају висок праг ласерског оштећења и генеришу изузетно кратке и висококвалитетне ТХз импулсе користећи фемтосекундне ласере велике снаге.


  • Цена ФОБ:УС $0,5 - 9,999 / Комад
  • Мин. Количина поруџбине:100 комада/комада
  • Способност снабдевања:10000 комада/комада месечно
  • Структурна формула:ЗнТе
  • Густина:5,633 г/цм³
  • Кристална оса:110
  • Детаљи о производу

    Тецхницал Параметер

    Полупроводнички ТХз кристали: ЗнТе (цинк Телурид) кристали са <110> оријентацијом се користе за ТХз генерисање поступком оптичке ректификације.Оптичко исправљање је генерисање разлике фреквенције у медијима са великом осетљивошћу другог реда.За фемтосекундне ласерске импулсе који имају велики опсег фреквенцијске компоненте међусобно делују и њихова разлика ствара ширину опсега од 0 до неколико ТХз.Детекција ТХз импулса се дешава путем електрооптичке детекције слободног простора у другом <110> оријентисаном ЗнТе кристалу.ТХз пулс и видљиви пулс се шире колинеарно кроз ЗнТе кристал.ТХз импулс индукује дволом у кристалу ЗнТе који се очитава линеарно поларизованим видљивим импулсом.Када су и видљиви пулс и ТХз пулс истовремено у кристалу, видљива поларизација ће се ротирати ТХз импулсом.Користећи λ/4 таласну плочу и поларизатор за раздвајање снопа заједно са сетом балансираних фотодиода, могуће је мапирати амплитуду ТХз импулса праћењем ротације поларизације видљивог импулса након ЗнТе кристала у различитим временима кашњења у односу на ТХз импулс.Способност очитавања пуног електричног поља, и амплитуде и кашњења, једна је од атрактивних карактеристика ТХз спектроскопије у временском домену.ЗнТе се такође користи за подлоге ИР оптичких компоненти и вакуумско таложење.

    Основна својства
    Формула структуре ЗнТе
    Параметри решетке а=6,1034
    Густина 110